タグ：トランジスタ
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電子部品を小型化できる単原子層アンチモン――シリコン半導体を置き換える可能性も
テキサス大学オースティン校の研究チームが、シリコンを代替して、より小型の半導体デバイスを実現する可能性のある新材料を見出した。第一原理計算とボルツマン輸送方程式により荷電粒子の移動度を計算し、単原子層のアンチモンが本来的…詳細を見る-
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厚さ10nmの極薄有機半導体結晶膜ウェハーを簡便な印刷法により作製――実用レベルの均一性と信頼性を達成 東京大学
東京大学大学院新領域創成科学研究科は2019年11月5日、簡便な印刷法を用いて、厚さ10nmの極薄有機半導体単結晶膜ウエハーを作製したと発表した。今回の成果により、安価に大量生産可能なIoTデバイスの開発が期待されるとい…詳細を見る-
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単結晶ダイヤモンド放熱基板を用いたマルチセルGaN－HEMTを開発――移動体通信基地局や衛星通信システムなどの省エネに貢献 三菱電機
三菱電機は2019年9月2日、産業技術総合研究所（産総研）と共同で、単結晶ダイヤモンド放熱基板を用いたマルチセル構造のGaN－HEMT（窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ）を、世界で初めて開発したと発表した。 …詳細を見る-
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電力供給なしでトランジスタの電流を増幅させることに成功――アスピレーターの原理を応用 静岡大など
静岡大学は2018年12月18日、NTT、北海道大学と共同で、電力供給せずにトランジスタの電流を増幅させることに成功したと発表した。ノズルから高圧で水や空気を噴出させるアスピレーターの原理を応用したもので、新たな低消費電…詳細を見る-
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金属が半導体の特性を持つ――京都大学など、超薄膜の白金がトランジスタ特性を発揮することを発見
京都大学は2018年8月8日、同大学などによる研究グループが、金属である白金を極めて薄い膜（超薄膜）にすると、シリコンなどの半導体で実現されるトランジスタ特性（材料の抵抗を外部電圧で制御する特性）が現れることを発見したと…詳細を見る-
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5nm限界説が覆った——史上最小、ゲート長1nmのトランジスタを開発
物理学の法則に基づけば、トランジスタのゲート長は5nmが限界だという。実際、市販されている最高級のトランジスタでもゲート長は20nmだ。にもかかわらず、米エネルギー省ローレンス・バークレー国立研究所（LBNL）の研究チー…詳細を見る-
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