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直接接合技術を用いた、新たなチップ仮接合および剥離技術を開発――300mmウエハ上での実証に成功 横浜国立大ら
横浜国立大学は2023年5月30日、同大学工学研究院とディスコ、東レエンジニアリングの共同研究グループが、直接接合技術を用いる新たなチップ仮接合および剥離技術の開発に成功したと発表した。 微細化へのハードルが高まっ…詳細を見る -
SiウェーハとSiCウェーハ対応のグラインディングホイール2種を開発 ディスコ
半導体製造装置メーカーのディスコは2022年12月1日、Siウェーハの薄化研削と強靭なSiCウェーハの研削に対応した2種のグラインディングホイールを開発したと発表した。既に販売を開始しており、12月14日から東京ビッグサ…詳細を見る -
家電、工作機械・ロボットなどのエンジニア求人・転職市場動向(2017年1~3月)
本コラムは、エンジニア専門の人材紹介会社メイテックネクストのキャリアコンサルタント・河辺真典氏からの寄稿です。旬のキーワードを取り上げ、エンジニアのキャリア形成に役立つ情報を発信していきます。 直近…詳細を見る -
ディスコ、SiCインゴットからウェーハをレーザーで切り出す新手法を確立
ディスコは2016年8月8日、レーザ加工によるインゴットスライス手法「KABRA」プロセスを開発したと発表した。同プロセスを導入すれば、次世代パワーデバイス素材として期待される炭化ケイ素(SiC)ウェーハ生産の高速化、取…詳細を見る