タグ：GaN
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高純度窒化ガリウム単結晶基板の量産方法を開発――次世代パワーエレクトロニクスの実現に道 東北大学ら
東北大学は2020年6月1日、日本製鋼所および三菱ケミカルと共同で、高性能パワートランジスタ実現に貢献する高純度の窒化ガリウム（GaN）単結晶基板の量産方法を開発したと発表した。 同大学によると、持続可能な社会の実…詳細を見る-
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次世代パワーデバイス向けに銅ナノ粒子を用いたシート状の接合材を開発 大陽日酸
大陽日酸は2020年1月28日、銅ナノ粒子を用いたシート状の接合材を開発したと発表した。SiCやGaNといった次世代パワーデバイスの接合材での用途を見込む。 同社は、粒子径100nm程度で表面が数nm程度の亜酸化層…詳細を見る-
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大型GaNウェハを高速検査――ODPL法を応用した検査技術で時短の実現へ 東北大学
東北大学多元物質科学研究所は2019年5月24日、小島一信准教授、秩父重英教授、浜松ホトニクスの池村賢一郎氏が共同で、分光技術に基づく半導体ウェハ検査技術を新たに開発したと発表した。この技術は、窒化ガリウム（GaN）ウェ…詳細を見る-
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演算量とメモリー量を従来の10分の1に削減した「コンパクトなGAN」を開発――AIの学習用画像生成を効率化
三菱電機は2019年1月31日、二つのAIを競わせてリアルな画像生成を実現する敵対的生成ネットワーク（GAN）において、同社のAI技術「Maisart（マイサート）」を進化させることにより、演算量とメモリー量を10分の1…詳細を見る-
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超ワイドバンドギャップを持つ酸化ガリウムの可能性――大電力高温用半導体への応用も
酸化ガリウムで次世代パワー半導体超えのバンドギャップへ アメリカのフロリダ大学および海軍研究所、韓国の高麗大学の共同研究チームが、超ワイドバンドギャップを持つ半導体、酸化ガリウム（Ga2O3）の将来的な可能性について、…詳細を見る-
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東芝、GaN-MOSFETの信頼性を向上するゲート絶縁膜プロセス技術を開発
東芝は2017年12月7日、次世代の半導体パワーデバイスとして期待される窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス向けに、ゲート絶縁膜プロセス技術を開発したと発表した。これにより閾値電圧変動などの特性変動を大幅に低減でき、この…詳細を見る-
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産総研、良質な窒化ガリウム圧電薄膜をRFスパッタ法で作製
産業技術総合研究所（産総研）は2017年8月31日、村田製作所と共同で、単結晶と同等の圧電性能を示す窒化ガリウム（GaN）薄膜を作製する方法を発見したと発表した。今回の作製には低コストで成膜温度の低い「RFスパッタ法」を…詳細を見る-
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安川電機、世界初となるGaNパワー半導体搭載のアンプ内蔵サーボモーターを販売開始
安川電機は2017年5月23日、ACサーボドライブ「Σ-7」シリーズの新製品として、世界初となるGaNパワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモーター「Σ-7Fモデル」を発売した。 高放熱構造を採用するなどしてアンプ…詳細を見る-
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パナソニック、PCIM 2016でGaN／SiCパワーデバイス関連製品の出展を予定
パナソニックは2016年4月14日、5月10日～12日までドイツのニュルンベルクで開催予定のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM 2016」に、GaN／SiCパワーデバイス関連製品を出展すると発表した。 GaNは…詳細を見る-
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