カテゴリー：エンジニア分野別
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日本TI、システムの消費電力を低減するナノパワー・オペアンプ新製品「LPV821」を発表
日本テキサス・インスツルメンツは2017年12月7日、新製品のナノパワー・ゼロドリフト・オペアンプ「LPV821」を発表した。業界初の超高精度、最小の消費電力をうたっており、IoT、産業用エレクトロニクスなどの高精度アプ…詳細を見る-
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富士通と富士通研究所、単結晶ダイヤモンドと炭化シリコンを常温で接合する技術を開発――気象レーダーなどの観測範囲拡大に貢献
富士通と富士通研究所は2017年12月7日、炭化シリコン（SiC）基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を開発したと発表した。この技術を高出力窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）の放熱に活用す…詳細を見る-
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NASAとGoogle、火星の表面を歩けるVRウェブサイト「Access Mars」を公開
NASAジェット推進研究所（JPL）とGoogleは2017年10月19日、火星表面を歩けるVRウェブサイト「Access Mars」を公開した。 Access Marsは、JPLが火星の研究や探査計画用に2015…詳細を見る-
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M100ボルトを1/70の小トルクで締め付けできる「テンションナット」を発売
ボルトエンジニアは2017年12月6日、M100クラスの大型ボルトをトルクレンチだけで締め付けることができる「テンションナット（Tension Nut）」を発売した。 テンションナットは小さなトルクで大きな締め付け…詳細を見る-
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名古屋工大、高品質な造形ができる3Dプリンター用の新たな金属粉末を開発
名古屋工業大学は2017年12月5日、同大学の渡辺義見教授らの研究グループが、従来材と比べ内部欠陥が少なく、微細な組織を有する高品質な造形品を製造できる、積層造形（3Dプリンター）に特化した新規金属粉末の開発に成功したと…詳細を見る-
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ルネサス、フィン構造SG-MONOSフラッシュメモリーの大規模動作に成功
ルネサスエレクトロニクスは2017年12月6日、回路線幅が16/14nm世代以降のフラッシュメモリー内蔵マイコン向けにフィン構造の立体トランジスターを採用したSG-MONOSフラッシュメモリーの大規模動作に成功したと発表…詳細を見る-
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産総研など、1200V耐圧クラスでも高性能を示すSBD内蔵SiCトランジスタを開発
産業技術総合研究所は2017年12月5日、富士電機と共同で1200Vクラスでも高効率と高信頼性を両立するショットキーバリアダイオード（SBD）内蔵のSiCトランジスタを開発したと発表した。 電力の変換や制御を担うパ…詳細を見る-
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京大、「炭素ナノリング」の大量合成と有機デバイス素子の作製に成功
京都大学は2017年12月5日、「炭素ナノリング」の大量合成に成功したと発表した。 炭素ナノリングはベンゼン環をリング状につなげたシクロパラフェニレン（CPP）に代表される、カーボンナノチューブやフラーレンの最小単…詳細を見る-
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三菱電機と東大、SiCパワー半導体素子の3種類の抵抗要因の影響度を解明
三菱電機は2017年12月5日、東京大学と共同でパワー半導体モジュールに搭載するSiC（炭化ケイ素）パワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する、電子散乱を起こす3種類の要因のそれぞれの影響度を解明したと発表した。同社による…詳細を見る-
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産総研、常温／大気中で作製可能なガスクロミック方式調光膜を開発
産業技術総合研究所は2017年12月5日、調光ガラスなどに利用できる、常温／大気中で簡単に作製できるガスクロミック方式の調光膜を開発したと発表した。 調光膜は、電気や熱、周辺のガス雰囲気などによって光の透過量や反射…詳細を見る-
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