タグ：窒化ガリウム
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窒化ガリウムとダイヤモンドの直接接合に成功――放熱性改善に向けた新構造の実現 大阪市立大学ら
大阪市立大学は2021年9月9日、東北大学、佐賀大学、アダマンド並木精密宝石と共同で、従来不可能だと言われてきた、窒化ガリウム（GaN）とダイヤモンドの直接接合に成功したと発表した。大阪市立大学によると世界初となる。 …詳細を見る -
新方式の超小型波長変換デバイスを用いた深紫外光変換に成功――殺菌／消毒効果が高く人体に無害な波長の光源 大阪大学
大阪大学は2021年6月4日、従来とは異なる方式の窒化物半導体超小型デバイスを用いた波長変換で、深紫外光変換に成功したと発表した。 同大学によると、近年新型コロナウイルス感染症拡大などの影響によって、深紫外光による…詳細を見る -
使用するたび効率が高くなる人工光合成デバイスの仕組みを解明
光と水を使って炭素を含まない水素燃料を作り出す人工光合成の技術は、無限の可能性を秘めている。ローレンス・バークレー国立研究所を中心とする研究チームは、安価で豊富に存在する材料を用いて作られた水分解装置の効率が、使うたびに…詳細を見る -
低コストで高性能な高周波トランジスタを製造できるGaN積層構造を開発――5Gの普及に貢献 エア・ウォーター
エア・ウォーターは2020年11月26日、新規機能材料開発プロジェクトの一環で、低コストで高性能な高周波トランジスタを製造できる基板材料の構造として、SiC on Si基板上に、厚いGaN層を成長させた新しいGaN積層構…詳細を見る -
高純度窒化ガリウム単結晶基板の量産方法を開発――次世代パワーエレクトロニクスの実現に道 東北大学ら
東北大学は2020年6月1日、日本製鋼所および三菱ケミカルと共同で、高性能パワートランジスタ実現に貢献する高純度の窒化ガリウム（GaN）単結晶基板の量産方法を開発したと発表した。 同大学によると、持続可能な社会の実…詳細を見る -
単結晶ダイヤモンド放熱基板を用いたマルチセルGaN－HEMTを開発――移動体通信基地局や衛星通信システムなどの省エネに貢献 三菱電機
三菱電機は2019年9月2日、産業技術総合研究所（産総研）と共同で、単結晶ダイヤモンド放熱基板を用いたマルチセル構造のGaN－HEMT（窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ）を、世界で初めて開発したと発表した。 …詳細を見る -
大型GaNウェハを高速検査――ODPL法を応用した検査技術で時短の実現へ 東北大学
東北大学多元物質科学研究所は2019年5月24日、小島一信准教授、秩父重英教授、浜松ホトニクスの池村賢一郎氏が共同で、分光技術に基づく半導体ウェハ検査技術を新たに開発したと発表した。この技術は、窒化ガリウム（GaN）ウェ…詳細を見る -
窒化ガリウムに注入した微量元素の分布と電気的状態をナノスケールで可視化――窒化ガリウムデバイス量産化に向けて大きく前進 NIMSと富士電機
物質・材料研究機構（NIMS）は2019年5月22日、富士電機と共同で、窒化ガリウム（GaN）に注入した微量なマグネシウム（Mg）の分布や電気的状態を、ナノスケールで可視化することに世界で初めて成功したと発表した。今回開…詳細を見る -
KEKとJFCC、GaN結晶の欠陥を短時間かつ非破壊で検出する方法を確立――青色LEDなどの高品質化を加速
高エネルギー加速器研究機構（KEK）は2018年7月9日、ファインセラミックスセンター（JFCC）と共同で、窒化ガリウム（GaN）結晶中のさまざまな欠陥をごく短い時間で非破壊で検出する方法を確立したと発表した。 G…詳細を見る -
名大、GaNパワーデバイスの要素技術を開発――GaN基板上のGaNデバイスの基礎技術を構築
名古屋大学は2018年5月17日、縦型窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスの溝（トレンチ）加工技術、およびGaNパワーデバイス用の高性能ゲート絶縁膜を開発したと発表した。 GaNパワーデバイスは、従来のシリコンに比…詳細を見る
