タグ：パワー半導体
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産業用フルSiCパワー半導体モジュールのサンプル提供を開始――スイッチング損失や電力損失を抑制 三菱電機
三菱電機は2023年6月13日、「産業用フルSiCパワー半導体モジュールNXタイプ」のサンプル提供を同月14日より開始すると発表した。 同製品では、パッケージ内の電極にラミネート構造を採用するなど、パッケージ内の電…詳細を見る-
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世界初となる、パワー半導体のゲート端子を駆動する電流波形を自動制御するICチップを開発 東京大学
東京大学生産技術研究所の高宮 真 教授らの研究グループは、2023年3月23日、パワー半導体のオンまたはオフを切り替えるスイッチング時に、パワー半導体のゲート端子を駆動する電流波形を適切なタイミングで自動的に複数回変化さ…詳細を見る-
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ダイヤモンド半導体における電気的欠陥の立体原子配列を解明 近畿大など研究グループ
近畿大学は2023年2月22日、奈良先端科学技術大学院大学と大阪大学、台湾成功大学と共同で、ダイヤモンドとアルミナ絶縁膜の間に形成される電気的な欠陥の立体原子配列を解明したと発表した。次世代の半導体として注目されているダ…詳細を見る-
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NMPフリー技術を取り入れた、新たな感光性ポリイミドコーティング剤の販売を開始 東レ
東レは2022年12月14日、環境への負荷を低減できるポリイミドのNMP（N－メチルピロリドン）フリー技術を取り入れた新たな感光性ポリイミドコーティング剤「PHOTONEECE（フォトニース）」を開発し、量産体制を整え、…詳細を見る-
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パワー半導体向けSiCウエハーの加工ひずみ検査技術を開発――レーザー散乱光応用技術を適応 豊田通商ら
豊田通商は2022年9月9日、関西学院大学および山梨技術工房と共同で、パワー半導体材料の炭化ケイ素（SiC）ウエハー製造プロセスで生じる、結晶のひずみを検査する技術を開発したと発表した。 現在主流のパワー半導体材料…詳細を見る-
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xEV向けインバータ用パワー半導体として新世代Si IGBTを開発 ルネサス
ルネサス エレクトロニクスは2022年8月30日、電動車（xEV）向けのインバータ用パワー半導体として、新世代のシリコン（Si） 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）を開発したと発表した。ラインアップは400V…詳細を見る-
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パワー半導体向け無酸素銅条の板厚変動を2分の1に低減 古河電気工業
古河電気工業は2022年6月22日、パワー半導体向け無酸素銅条「GOFC」の製造において、板厚（0.25～2.0mmに対応）の変動を従来比2分の1に低減したと発表した。結晶粒径を小さく抑えられる耐熱性とともに、パワー半導…詳細を見る-
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ダブルゲート構造を採用し、スイッチング損失を低減する逆導通型IEGTを開発 東芝デバイス＆ストレージ、東芝
東芝デバイス＆ストレージと東芝は2022年6月15日、電力の制御等に用いられるパワー半導体にて、世界で初めてダブルゲート構造を採用した4500V耐圧の逆導通型IEGTを開発したと発表した。電力のオンとオフが切り替わるスイ…詳細を見る-
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SiCの高効率な研磨技術を開発――薬液を用いずに水と研磨材粒子のみで高効率に研磨 立命館大学
立命館大学は2021年11月30日、同大学の研究グループが、パワー半導体材料として用いられるSiC（炭化ケイ素）の高効率な研磨技術を開発したと発表した。 SiCは、低損失で高耐圧といったメリットを有するワイドギャッ…詳細を見る-
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パワー半導体と駆動ICを一括検証できるシミュレーションツールに熱解析機能を追加 ローム
ロームは2021年11月4日、パワーデバイス（パワー半導体）と駆動ICなどをソリューション回路上で一括検証できるWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」に熱解析機能を追加し、公式We…詳細を見る-
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