タグ：パワーデバイス
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QST基板上でのGaN剥離、異種材料基板への接合技術を開発――縦型GaNパワーデバイスの実現に寄与 OKIと信越化学工業
OKIと信越化学工業は2023年9月5日、QST基板からGaN機能層のみを剥離し、異種材料基板に接合する技術を開発したと発表した。GaNの縦型導電が可能となるため、大電流を制御できる縦型GaNパワーデバイスの実現に寄与す…詳細を見る-
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高ボロン濃度エピタキシャル成長基板を開発――低抵抗ダイヤモンド基板を製品化 イーディーピー
イーディーピーは2023年8月10日、高ボロン濃度のダイヤモンドを成長する技術を開発し、このダイヤモンドで製造した低抵抗基板を2種類発表した。開発した高ボロン濃度ダイヤモンドは、縦型構造のパワーデバイス開発に適した低い抵…詳細を見る-
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産業用フルSiCパワー半導体モジュールのサンプル提供を開始――スイッチング損失や電力損失を抑制 三菱電機
三菱電機は2023年6月13日、「産業用フルSiCパワー半導体モジュールNXタイプ」のサンプル提供を同月14日より開始すると発表した。 同製品では、パッケージ内の電極にラミネート構造を採用するなど、パッケージ内の電…詳細を見る-
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SiCパワー・モジュール5製品を発表――現代自動車のEVに搭載予定 STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは2023年1月17日、SiCパワー・モジュール5製品を新たに発表した。 同製品群は、同社の第3世代STPOWER SiCパワーMOSFETを搭載。電力密度や電力効率に優れており、電気自…詳細を見る-
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β型酸化ガリウム結晶の非破壊検査手法を開発 JFCCなど研究グループ
ファインセラミックスセンター（JFCC）は2022年12月8日、ノベルクリスタルテクノロジーや兵庫県立大学などと共同でβ型酸化ガリウム（β-Ga2O3）結晶内部の格子欠陥を短時間、非破壊で検査することに世界で初めて成功し…詳細を見る-
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デジタルオシロスコープ「DS-8000」シリーズ向けスイッチング解析ソフトウェアを発売 岩崎通信機
岩崎通信機は2022年4月18日、同社デジタルオシロスコープ「DS-8000」シリーズ向けのスイッチング解析ソフトウェア「DS-821」を同日発売すると発表した。 SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）などの…詳細を見る-
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酸化ガリウムをHVPE法で6インチウエハー上に世界で初めて成膜 大陽日酸ら
NEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）は2022年3月1日、同機構の「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」において、大陽日酸が東京農工大学、ノベルクリスタルテクノロジーと共同で、6インチウエハー上に、酸化ガリウ…詳細を見る-
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SiCの高効率な研磨技術を開発――薬液を用いずに水と研磨材粒子のみで高効率に研磨 立命館大学
立命館大学は2021年11月30日、同大学の研究グループが、パワー半導体材料として用いられるSiC（炭化ケイ素）の高効率な研磨技術を開発したと発表した。 SiCは、低損失で高耐圧といったメリットを有するワイドギャッ…詳細を見る-
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パワーデバイス向けの「活性金属ろう材／銅 複合材」を開発――エッチング不要で、厚い銅材の電極形成が可能 田中貴金属工業
田中貴金属工業は2021年7月20日、パワーデバイス向けに工数を削減できる「活性金属ろう材／銅 複合材」を開発したと発表した。パワーデバイス用セラミックス回路基板や次世代ヒートシンクでの用途が期待される。 同製品は…詳細を見る-
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2素子構成の車載向けECU用パワーMOSFETを発売――回路の小型化や軽量化に寄与 新電元工業
新電元工業は2021年7月13日、自動車の各種ECU用パワーMOSFET「LF_Dual」シリーズを発売すると発表した。既にサンプル出荷を開始しており、2021年12月の量産開始を予定している。 同シリーズは、40…詳細を見る-
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