タグ:パワーデバイス
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酸化ガリウムをHVPE法で6インチウエハー上に世界で初めて成膜 大陽日酸ら
NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)は2022年3月1日、同機構の「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」において、大陽日酸が東京農工大学、ノベルクリスタルテクノロジーと共同で、6インチウエハー上に、酸化ガリウ…詳細を見る -
SiCの高効率な研磨技術を開発――薬液を用いずに水と研磨材粒子のみで高効率に研磨 立命館大学
立命館大学は2021年11月30日、同大学の研究グループが、パワー半導体材料として用いられるSiC(炭化ケイ素)の高効率な研磨技術を開発したと発表した。 SiCは、低損失で高耐圧といったメリットを有するワイドギャッ…詳細を見る -
パワーデバイス向けの「活性金属ろう材/銅 複合材」を開発――エッチング不要で、厚い銅材の電極形成が可能 田中貴金属工業
田中貴金属工業は2021年7月20日、パワーデバイス向けに工数を削減できる「活性金属ろう材/銅 複合材」を開発したと発表した。パワーデバイス用セラミックス回路基板や次世代ヒートシンクでの用途が期待される。 同製品は…詳細を見る -
2素子構成の車載向けECU用パワーMOSFETを発売――回路の小型化や軽量化に寄与 新電元工業
新電元工業は2021年7月13日、自動車の各種ECU用パワーMOSFET「LF_Dual」シリーズを発売すると発表した。既にサンプル出荷を開始しており、2021年12月の量産開始を予定している。 同シリーズは、40…詳細を見る -
小型GaNモジュールを開発――米Transphorm製の高耐圧GaN-FETチップを内蔵 富士通ゼネラルエレクトロニクス
富士通ゼネラルエレクトロニクスは2021年6月15日、ドライブ回路とともに高耐圧GaN-FETチップを内蔵した「小型GaNモジュール」を開発したと発表した。同年秋よりサンプル出荷を開始する予定となっている。 同モジ…詳細を見る -
SiC結晶表面への電流の流れを数値化することに成功――SiCパワーデバイスの低価格化への寄与に期待 名古屋工業大学
名古屋工業大学は2020年5月19日、同大学大学院工学研究科の加藤正史准教授の研究グループが、さまざまな温度や表面の状態において、SiC結晶の表面への電流の流れを数値化することに成功したと発表した。SiCパワーデバイスの…詳細を見る -
京大ら、新規半導体「コランダム構造酸化ガリウム」を用いて、ノーマリーオフ型MOSFETの動作実証に世界で初めて成功
京都大学は2018年8月9日、同大学の研究グループが京大発のベンチャー企業であるFLOSFIAと共同で、新規材料によるパワーデバイスとして、コランダム構造(α構造)の酸化ガリウム(Ga2O3)を用いた絶縁効果型トランジス…詳細を見る