タグ：東芝デバイス＆ストレージ
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1200V耐圧SiC MOSFETを製品化――SBD内蔵の第2世代チップデザイン採用で信頼性を向上 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2020年10月19日、SiC（シリコンカーバイド）を使用した1200V耐圧MOSFET「TW070J120B」を製品化し、出荷を開始したと発表した。 同MOSFETは、新材料のSiCを使…詳細を見る-
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LDMOSの負入力耐性とESD耐性を両立させるセルレイアウトを開発 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージとジャパンセミコンダクターは2020年9月23日、アナログIC向けLDMOSの重要特性である負入力耐性とESD耐性を両立させる最適デザインを開発したと発表した。ESD耐性を許容できる水準を維持しつ…詳細を見る-
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業界最小実装面積で最大動作温度125℃の電圧駆動型フォトリレーを発売 東芝
東芝デバイス＆ストレージは2020年8月27日、業界最小実装面積で最大動作温度を定格125℃へ拡張した電圧駆動型フォトリレー製品「TLP3407SRA」「TLP3475SRHA」「TLP3412SRHA」の出荷を開始する…詳細を見る-
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SiC MOSFETの信頼性を10倍向上させるデバイス構造を開発――MOSFETの内部にSBDを搭載 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2020年7月30日、SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発したと発表した。MOSFETの内部にショットキーバリアダイオード（SBD）を搭載した構造が特徴で、オン抵抗の上昇を…詳細を見る-
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3300V級IGBTを5Vゲート電圧でスイッチングすることに成功――シリコンIGBTのさらなる性能向上が可能に 東大など
東京大学は2019年5月20日、北九州環境エレクトロニクス研究所などと共同で、3300V級シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）のスイッチングを、ゲート電圧5Vの低電圧で駆動することに成功したと発表した。 …詳細を見る-
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小型面実装LDOレギュレーターを発売――機器の低消費電力化に貢献 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2019年3月20日、モバイル機器や映像／音響機器のカメラ用CMOSセンサー電源、MCU電源、RF電源などへの電力供給に適した小型面実装LDOレギュレーター「TCR5BMシリーズ」40品種と「T…詳細を見る-
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深層学習による画像認識を高速／低消費電力で実行する車載向けSoCを開発 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2019年2月26日、AI技術の1つである深層学習を用いた画像認識を、高速かつ低消費電力で実行する車載向けSoC（System on a Chip）を開発したと発表した。東芝の従来技術と比較して…詳細を見る-
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東芝、650V耐圧の新世代スーパージャンクションパワーMOSFETを製品化――スイッチング電源を高効率化
東芝デバイス＆ストレージは2018年8月20日、産業機器用電源向けに650V耐圧の新世代スーパージャンクションパワーMOSFET「DTMOS Ⅵ（ディーティーモス・シックス） シリーズ」を製品化し、シリーズ第1弾となる新…詳細を見る-
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東芝デバイス＆ストレージ、民生／産業機器向けのArm Cortex-M3コア搭載マイコンライナップ追加
東芝デバイス＆ストレージは2018年7月30日、民生／産業機器向けのArm Cortex-Mコア搭載マイコンTXZファミリーに「M3Hグループ」を加え、量産開始したと発表した。 M3Hグループは、スタンダードな「M…詳細を見る-
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東芝、車載3相ブラシレスモーター用パワーMOSFETゲートドライバIPDの新製品を発売――実装面積を従来の1/4に削減
東芝デバイス＆ストレージは2018年7月24日、車載3相ブラシレスモーター用パワーMOSFETのゲートドライバIPD（インテリジェントパワーデバイス）「TPD7212F」 を製品化し、8月から量産、出荷を開始すると発表し…詳細を見る-
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