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有機ELの新たな発光機構を発見――三重項励起子を低電圧で選択的に形成 理研と東大ら
理化学研究所(理研)は2019年6月6日、東京大学らとの国際共同研究グループが有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)デバイスにおいて重要な役割を担う三重項励起子を低電圧で選択的に形成する新たな機構を発見したと発表した。…詳細を見る -
磁石を伝わる磁気の波をトポロジーで分類――表面波の安定性のメカニズムを解明 原子力機構など
日本原子力研究開発機構は2019年5月29日、東京大学と共同で磁石を伝わる磁気の波を位相数学(トポロジー)を用いて分類し、表面波が持つ安定性を説明することに世界で初めて成功したと発表した。 現在、情報機器では主に電…詳細を見る -
磁場を相殺する新構造のレンズを組み込んだ電子顕微鏡を開発――磁性材料の原子観察に成功 東大ら
東京大学大学院工学系研究科附属総合研究機構と日本電子は2019年5月24日、試料上の磁場を打ち消す新構造の対物レンズを組み込んだ電子顕微鏡を開発したと発表した。これを用いて、ほぼ磁場のない状況で原子の直接観察に成功すると…詳細を見る -
材料の破壊メカニズムを原子レベルで解明――TEMナノインデンテーション法により進展する亀裂をリアルタイムで可視化 東京大学
東京大学は2019年5月21日、透過型電子顕微鏡法(TEM)を用いたナノスケールの応力印加その場観察により、多結晶において偏析粒界を進展する亀裂をリアルタイムで可視化することに初めて成功したと発表した。この結果、従来の考…詳細を見る -
3300V級IGBTを5Vゲート電圧でスイッチングすることに成功――シリコンIGBTのさらなる性能向上が可能に 東大など
東京大学は2019年5月20日、北九州環境エレクトロニクス研究所などと共同で、3300V級シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のスイッチングを、ゲート電圧5Vの低電圧で駆動することに成功したと発表した。 …詳細を見る -
電力を蓄えることにより構造を修復する「自己修復能力」を持つ電極材料を発見 東大
東京大学は2019年5月16日、同大学の研究グループが、電力を蓄えることにより構造を修復する「自己修復能力」を持つ電極材料を発見したと発表した。 電気自動車や太陽光発電など環境に優しい技術の社会導入が進む中で、電力…詳細を見る -
無機物と有機物を組み上げた三次元ナノ構造体の新設計法を開発――化学品合成やセンサー、電池材料への応用が可能に 東大
東京大学は2019年4月24日、モリブデン酸化物クラスターと有機分子を用いた「三次元ナノ構造体」の新設計法を発見したと発表した。これにより、金属酸化物クラスターの構造や機能を生かした、新たな幾何学構造の設計やナノ空隙内の…詳細を見る -
柔らかいスピントロニクスセンサーで生体モーションの計測に成功――フレキシブルスピンシートなど新タイプのセンサー開発に期待 東大と村田製作所
東京大学と村田製作所は2019年4月3日、柔らかいスピントロニクスセンサーで生体モーションを計測することに成功したと発表した。 スピントロニクスは、磁気記録デバイスやセンシング素子の高度化/省エネ化に大きな貢献をし…詳細を見る -
柔らかいシート上へ実用スピントロニクス素子を直接形成することに成功――スピントロニクス素子のIoT応用展開を拡大 東大など
東京大学は2019年3月28日、村田製作所、大阪大学の研究チームと共同で、汎用的なスピントロニクス素子「CoFeB/MgO(コバルト鉄ボロン/酸化マグネシウム)系磁気トンネル接合素子」を、伸縮性のある有機フレキシブルシー…詳細を見る -
高速カメラにより製造ラインの検品作業を効率化する物体認識技術を開発――製品への異物混入防止や品質の均一化に貢献 NECと東大
NECは2019年3月28日、東京大学の研究グループと共同で「高速カメラ物体認識技術」を開発したと発表した。NECの画像認識技術と東京大学の持つ高速移動物体の追跡技術を融合したもので、高速カメラで撮影された毎秒1000フ…詳細を見る